AOK29S50L
MOSFET N-CH 500V 29A TO247
Osa numero
AOK29S50L
Valmistaja/merkki
Sarja
aMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247
Tehonhäviö (maks.)
357W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
26.6nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1312pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8316 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta AOK29S50L
AOK29S50L Elektroniset komponentit
AOK29S50L Myynti
AOK29S50L Toimittaja
AOK29S50L Jakelija
AOK29S50L Tietotaulukko
AOK29S50L Kuvat
AOK29S50L Hinta
AOK29S50L Tarjous
AOK29S50L Alin hinta
AOK29S50L Hae
AOK29S50L Ostaminen
AOK29S50L Chip