Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
AON6413_101
MOSFET P-CH 30V 8DFN
Osa numero
AON6413_101
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Last Time Buy
Pakkaus
-
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerVDFN
Toimittajan laitepaketti
8-DFN-EP (5x6)
Tehonhäviö (maks.)
6.2W (Ta), 48W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
22A (Ta), 32A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2142pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 41424 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta AON6413_101
AON6413_101 Elektroniset komponentit
AON6413_101 Myynti
AON6413_101 Toimittaja
AON6413_101 Jakelija
AON6413_101 Tietotaulukko
AON6413_101 Kuvat
AON6413_101 Hinta
AON6413_101 Tarjous
AON6413_101 Alin hinta
AON6413_101 Hae
AON6413_101 Ostaminen
AON6413_101 Chip