Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
AON6508_101

AON6508_101

MOSFET N-CH DFN
Osa numero
AON6508_101
Sarja
AlphaMOS
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerSMD, Flat Leads
Toimittajan laitepaketti
8-DFN (5x6)
Tehonhäviö (maks.)
4.2W (Ta), 41W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
29A (Ta), 32A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2010pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8265 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta AON6508_101
AON6508_101 Elektroniset komponentit
AON6508_101 Myynti
AON6508_101 Toimittaja
AON6508_101 Jakelija
AON6508_101 Tietotaulukko
AON6508_101 Kuvat
AON6508_101 Hinta
AON6508_101 Tarjous
AON6508_101 Alin hinta
AON6508_101 Hae
AON6508_101 Ostaminen
AON6508_101 Chip