AON7522E
MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
Osa numero
AON7522E
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerSMD, Flat Leads
Toimittajan laitepaketti
8-DFN (3x3)
Tehonhäviö (maks.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
21A (Ta), 34A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1540pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 42429 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta AON7522E
AON7522E Elektroniset komponentit
AON7522E Myynti
AON7522E Toimittaja
AON7522E Jakelija
AON7522E Tietotaulukko
AON7522E Kuvat
AON7522E Hinta
AON7522E Tarjous
AON7522E Alin hinta
AON7522E Hae
AON7522E Ostaminen
AON7522E Chip