Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
CEDM8001VL TR

CEDM8001VL TR

MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
Osa numero
CEDM8001VL TR
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SC-101, SOT-883
Toimittajan laitepaketti
SOT-883VL
Tehonhäviö (maks.)
100mW (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
0.66nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
45pF @ 3V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4V
Vgs (max)
10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 28147 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta CEDM8001VL TR
CEDM8001VL TR Elektroniset komponentit
CEDM8001VL TR Myynti
CEDM8001VL TR Toimittaja
CEDM8001VL TR Jakelija
CEDM8001VL TR Tietotaulukko
CEDM8001VL TR Kuvat
CEDM8001VL TR Hinta
CEDM8001VL TR Tarjous
CEDM8001VL TR Alin hinta
CEDM8001VL TR Hae
CEDM8001VL TR Ostaminen
CEDM8001VL TR Chip