CDBDSC8650-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Osa numero
CDBDSC8650-G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
-
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
D-PAK (TO-252)
Diodin tyyppi
Silicon Carbide Schottky
Virta - Keskimääräinen korjattu (Io)
25.5A (DC)
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
1.7V @ 8A
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
100µA @ 650V
Jännite - DC taaksepäin (Vr) (max)
650V
Nopeus
No Recovery Time > 500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
0ns
Käyttölämpötila - Liitos
-55°C ~ 175°C
Kapasitanssi @ Vr, F
550pF @ 0V, 1MHz
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 51933 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta CDBDSC8650-G
CDBDSC8650-G Elektroniset komponentit
CDBDSC8650-G Myynti
CDBDSC8650-G Toimittaja
CDBDSC8650-G Jakelija
CDBDSC8650-G Tietotaulukko
CDBDSC8650-G Kuvat
CDBDSC8650-G Hinta
CDBDSC8650-G Tarjous
CDBDSC8650-G Alin hinta
CDBDSC8650-G Hae
CDBDSC8650-G Ostaminen
CDBDSC8650-G Chip