DMN1019USN-13
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Osa numero
DMN1019USN-13
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
SC-59
Tehonhäviö (maks.)
680mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
50.6nC @ 8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2426pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 2.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 54941 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta DMN1019USN-13
DMN1019USN-13 Elektroniset komponentit
DMN1019USN-13 Myynti
DMN1019USN-13 Toimittaja
DMN1019USN-13 Jakelija
DMN1019USN-13 Tietotaulukko
DMN1019USN-13 Kuvat
DMN1019USN-13 Hinta
DMN1019USN-13 Tarjous
DMN1019USN-13 Alin hinta
DMN1019USN-13 Hae
DMN1019USN-13 Ostaminen
DMN1019USN-13 Chip