Osta Diodes Incorporated DMN2022UNS-7 MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

DMN2022UNS-7

MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Osa numero

DMN2022UNS-7

Valmistaja/merkki

Diodes Incorporated

Sarja

Osan tila

Active

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

8-PowerVDFN

Teho - Max

1.2W

Toimittajan laitepaketti

PowerDI3333-8

FET-tyyppi

2 N-Channel (Dual)

FET-ominaisuus

Standard

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

20V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

10.7A

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

10.8 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

20.3nC @ 4.5V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 10V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 20448 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated