Osta Diodes Incorporated DMN2023UCB4-7 MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

DMN2023UCB4-7

MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Osa numero

DMN2023UCB4-7

Valmistaja/merkki

Diodes Incorporated

Sarja

Osan tila

Active

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

4-XFBGA, WLBGA

Teho - Max

1.45W

Toimittajan laitepaketti

X1-WLB1818-4

FET-tyyppi

2 N-Channel (Dual)

FET-ominaisuus

Logic Level Gate

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Max) @ Id

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 37662 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated