Osta Diodes Incorporated DMN2050LFDB-7 MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

DMN2050LFDB-7

MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Osa numero

DMN2050LFDB-7

Valmistaja/merkki

Diodes Incorporated

Sarja

Osan tila

Active

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

6-UDFN Exposed Pad

Teho - Max

730mW

Toimittajan laitepaketti

U-DFN2020-6 (Type B)

FET-tyyppi

2 N-Channel (Dual)

FET-ominaisuus

Logic Level Gate

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

20V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

3.3A

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

389pF @ 10V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 54281 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated