DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Osa numero
DMN2300UFB4-7B
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
3-XFDFN
Toimittajan laitepaketti
X2-DFN1006-3
Tehonhäviö (maks.)
500mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
1.6nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
64.3pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8531 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta DMN2300UFB4-7B
DMN2300UFB4-7B Elektroniset komponentit
DMN2300UFB4-7B Myynti
DMN2300UFB4-7B Toimittaja
DMN2300UFB4-7B Jakelija
DMN2300UFB4-7B Tietotaulukko
DMN2300UFB4-7B Kuvat
DMN2300UFB4-7B Hinta
DMN2300UFB4-7B Tarjous
DMN2300UFB4-7B Alin hinta
DMN2300UFB4-7B Hae
DMN2300UFB4-7B Ostaminen
DMN2300UFB4-7B Chip