Osta Diodes Incorporated DMN3016LFDE-7 MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

DMN3016LFDE-7

MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Osa numero

DMN3016LFDE-7

Valmistaja/merkki

Diodes Incorporated

Sarja

Osan tila

Active

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

6-UDFN Exposed Pad

Toimittajan laitepaketti

U-DFN2020-6 (Type E)

Tehonhäviö (maks.)

730mW (Ta)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

30V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 42920 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet