Osta Diodes Incorporated DMN3053L-7 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

DMN3053L-7

MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Osa numero

DMN3053L-7

Valmistaja/merkki

Diodes Incorporated

Sarja

Osan tila

Active

Pakkaus

Cut Tape (CT)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Toimittajan laitepaketti

SOT-23

Tehonhäviö (maks.)

760mW (Ta)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

30V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

4A (Ta)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

676pF @ 15V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Vgs (max)

±12V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 53092 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet