DMT3011LDT-7
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Osa numero
DMT3011LDT-7
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 155°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-VDFN Exposed Pad
Teho - Max
1.9W
Toimittajan laitepaketti
V-DFN3030-8 (Type K)
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
8A, 10.7A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
13.2nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
641pF @ 15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 44013 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta DMT3011LDT-7
DMT3011LDT-7 Elektroniset komponentit
DMT3011LDT-7 Myynti
DMT3011LDT-7 Toimittaja
DMT3011LDT-7 Jakelija
DMT3011LDT-7 Tietotaulukko
DMT3011LDT-7 Kuvat
DMT3011LDT-7 Hinta
DMT3011LDT-7 Tarjous
DMT3011LDT-7 Alin hinta
DMT3011LDT-7 Hae
DMT3011LDT-7 Ostaminen
DMT3011LDT-7 Chip