ZXMN6A11GTA
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Osa numero
ZXMN6A11GTA
Valmistaja/merkki
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Toimittajan laitepaketti
SOT-223
Tehonhäviö (maks.)
2W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 40V
Vgs (max)
±20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 29802 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta ZXMN6A11GTA
ZXMN6A11GTA Elektroniset komponentit
ZXMN6A11GTA Myynti
ZXMN6A11GTA Toimittaja
ZXMN6A11GTA Jakelija
ZXMN6A11GTA Tietotaulukko
ZXMN6A11GTA Kuvat
ZXMN6A11GTA Hinta
ZXMN6A11GTA Tarjous
ZXMN6A11GTA Alin hinta
ZXMN6A11GTA Hae
ZXMN6A11GTA Ostaminen
ZXMN6A11GTA Chip