Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
EPC2018

EPC2018

TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Osa numero
EPC2018
Valmistaja/merkki
Sarja
eGaN®
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
GaNFET (Gallium Nitride)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 125°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
Die
Toimittajan laitepaketti
Die
Tehonhäviö (maks.)
-
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
150V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (max)
+6V, -5V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 14227 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta EPC2018
EPC2018 Elektroniset komponentit
EPC2018 Myynti
EPC2018 Toimittaja
EPC2018 Jakelija
EPC2018 Tietotaulukko
EPC2018 Kuvat
EPC2018 Hinta
EPC2018 Tarjous
EPC2018 Alin hinta
EPC2018 Hae
EPC2018 Ostaminen
EPC2018 Chip