Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Osa numero
EPC2107ENGRT
Valmistaja/merkki
Sarja
eGaN®
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
9-VFBGA
Teho - Max
-
Toimittajan laitepaketti
9-BGA (1.35x1.35)
FET-tyyppi
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-ominaisuus
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 35899 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT Elektroniset komponentit
EPC2107ENGRT Myynti
EPC2107ENGRT Toimittaja
EPC2107ENGRT Jakelija
EPC2107ENGRT Tietotaulukko
EPC2107ENGRT Kuvat
EPC2107ENGRT Hinta
EPC2107ENGRT Tarjous
EPC2107ENGRT Alin hinta
EPC2107ENGRT Hae
EPC2107ENGRT Ostaminen
EPC2107ENGRT Chip