GP2M012A060H
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Osa numero
GP2M012A060H
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Tehonhäviö (maks.)
231W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1890pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 23737 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta GP2M012A060H
GP2M012A060H Elektroniset komponentit
GP2M012A060H Myynti
GP2M012A060H Toimittaja
GP2M012A060H Jakelija
GP2M012A060H Tietotaulukko
GP2M012A060H Kuvat
GP2M012A060H Hinta
GP2M012A060H Tarjous
GP2M012A060H Alin hinta
GP2M012A060H Hae
GP2M012A060H Ostaminen
GP2M012A060H Chip