AUIRF7343QTR
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Osa numero
AUIRF7343QTR
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Teho - Max
2W
Toimittajan laitepaketti
8-SO
FET-tyyppi
N and P-Channel
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
4.7A, 3.4A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8547 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta AUIRF7343QTR
AUIRF7343QTR Elektroniset komponentit
AUIRF7343QTR Myynti
AUIRF7343QTR Toimittaja
AUIRF7343QTR Jakelija
AUIRF7343QTR Tietotaulukko
AUIRF7343QTR Kuvat
AUIRF7343QTR Hinta
AUIRF7343QTR Tarjous
AUIRF7343QTR Alin hinta
AUIRF7343QTR Hae
AUIRF7343QTR Ostaminen
AUIRF7343QTR Chip