BSO615CT
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Osa numero
BSO615CT
Valmistaja/merkki
Sarja
SIPMOS®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Teho - Max
2W
Toimittajan laitepaketti
PG-DSO-8
FET-tyyppi
N and P-Channel
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3.1A, 2A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
22.5nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 44214 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta BSO615CT
BSO615CT Elektroniset komponentit
BSO615CT Myynti
BSO615CT Toimittaja
BSO615CT Jakelija
BSO615CT Tietotaulukko
BSO615CT Kuvat
BSO615CT Hinta
BSO615CT Tarjous
BSO615CT Alin hinta
BSO615CT Hae
BSO615CT Ostaminen
BSO615CT Chip