BSO615NGHUMA1
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Osa numero
BSO615NGHUMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
SIPMOS®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Teho - Max
2W
Toimittajan laitepaketti
PG-DSO-8
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2.6A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 15349 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta BSO615NGHUMA1
BSO615NGHUMA1 Elektroniset komponentit
BSO615NGHUMA1 Myynti
BSO615NGHUMA1 Toimittaja
BSO615NGHUMA1 Jakelija
BSO615NGHUMA1 Tietotaulukko
BSO615NGHUMA1 Kuvat
BSO615NGHUMA1 Hinta
BSO615NGHUMA1 Tarjous
BSO615NGHUMA1 Alin hinta
BSO615NGHUMA1 Hae
BSO615NGHUMA1 Ostaminen
BSO615NGHUMA1 Chip