BSS119L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Osa numero
BSS119L6327HTSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
SIPMOS®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT23-3
Tehonhäviö (maks.)
360mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 50µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 12625 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta BSS119L6327HTSA1
BSS119L6327HTSA1 Elektroniset komponentit
BSS119L6327HTSA1 Myynti
BSS119L6327HTSA1 Toimittaja
BSS119L6327HTSA1 Jakelija
BSS119L6327HTSA1 Tietotaulukko
BSS119L6327HTSA1 Kuvat
BSS119L6327HTSA1 Hinta
BSS119L6327HTSA1 Tarjous
BSS119L6327HTSA1 Alin hinta
BSS119L6327HTSA1 Hae
BSS119L6327HTSA1 Ostaminen
BSS119L6327HTSA1 Chip