DF23MR12W1M1B11BOMA1
MOSFET MODULE 1200V 25A
Osa numero
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolSiC™
Osan tila
Active
Pakkaus
-
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Paketti / kotelo
Module
Teho - Max
20mW
Toimittajan laitepaketti
Module
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
1200V (1.2kV)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
30A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 25A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 10mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
620nC @ 15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 800V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 44625 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta DF23MR12W1M1B11BOMA1
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Elektroniset komponentit
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Myynti
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Toimittaja
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Jakelija
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Tietotaulukko
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Kuvat
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Hinta
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Tarjous
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Alin hinta
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Hae
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Ostaminen
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Chip