IPB65R190C7ATMA2
MOSFET N-CH TO263-3
Osa numero
IPB65R190C7ATMA2
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™ C7
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3
Tehonhäviö (maks.)
72W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1150pF @ 400V
Vgs (max)
±20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 12766 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB65R190C7ATMA2
IPB65R190C7ATMA2 Elektroniset komponentit
IPB65R190C7ATMA2 Myynti
IPB65R190C7ATMA2 Toimittaja
IPB65R190C7ATMA2 Jakelija
IPB65R190C7ATMA2 Tietotaulukko
IPB65R190C7ATMA2 Kuvat
IPB65R190C7ATMA2 Hinta
IPB65R190C7ATMA2 Tarjous
IPB65R190C7ATMA2 Alin hinta
IPB65R190C7ATMA2 Hae
IPB65R190C7ATMA2 Ostaminen
IPB65R190C7ATMA2 Chip