IPB79CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
Osa numero
IPB79CN10N G
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D²PAK (TO-263AB)
Tehonhäviö (maks.)
31W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
79 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 12µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
716pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 25528 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB79CN10N G
IPB79CN10N G Elektroniset komponentit
IPB79CN10N G Myynti
IPB79CN10N G Toimittaja
IPB79CN10N G Jakelija
IPB79CN10N G Tietotaulukko
IPB79CN10N G Kuvat
IPB79CN10N G Hinta
IPB79CN10N G Tarjous
IPB79CN10N G Alin hinta
IPB79CN10N G Hae
IPB79CN10N G Ostaminen
IPB79CN10N G Chip