IPD15N06S2L64ATMA1
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
Osa numero
IPD15N06S2L64ATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Tehonhäviö (maks.)
47W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
354pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 26740 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPD15N06S2L64ATMA1
IPD15N06S2L64ATMA1 Elektroniset komponentit
IPD15N06S2L64ATMA1 Myynti
IPD15N06S2L64ATMA1 Toimittaja
IPD15N06S2L64ATMA1 Jakelija
IPD15N06S2L64ATMA1 Tietotaulukko
IPD15N06S2L64ATMA1 Kuvat
IPD15N06S2L64ATMA1 Hinta
IPD15N06S2L64ATMA1 Tarjous
IPD15N06S2L64ATMA1 Alin hinta
IPD15N06S2L64ATMA1 Hae
IPD15N06S2L64ATMA1 Ostaminen
IPD15N06S2L64ATMA1 Chip