IPD26N06S2L35ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Osa numero
IPD26N06S2L35ATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Tehonhäviö (maks.)
68W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 26µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
621pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 29507 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPD26N06S2L35ATMA1
IPD26N06S2L35ATMA1 Elektroniset komponentit
IPD26N06S2L35ATMA1 Myynti
IPD26N06S2L35ATMA1 Toimittaja
IPD26N06S2L35ATMA1 Jakelija
IPD26N06S2L35ATMA1 Tietotaulukko
IPD26N06S2L35ATMA1 Kuvat
IPD26N06S2L35ATMA1 Hinta
IPD26N06S2L35ATMA1 Tarjous
IPD26N06S2L35ATMA1 Alin hinta
IPD26N06S2L35ATMA1 Hae
IPD26N06S2L35ATMA1 Ostaminen
IPD26N06S2L35ATMA1 Chip