IPD50N06S214ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Osa numero
IPD50N06S214ATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Tehonhäviö (maks.)
136W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
14.4 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1485pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 22226 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPD50N06S214ATMA1
IPD50N06S214ATMA1 Elektroniset komponentit
IPD50N06S214ATMA1 Myynti
IPD50N06S214ATMA1 Toimittaja
IPD50N06S214ATMA1 Jakelija
IPD50N06S214ATMA1 Tietotaulukko
IPD50N06S214ATMA1 Kuvat
IPD50N06S214ATMA1 Hinta
IPD50N06S214ATMA1 Tarjous
IPD50N06S214ATMA1 Alin hinta
IPD50N06S214ATMA1 Hae
IPD50N06S214ATMA1 Ostaminen
IPD50N06S214ATMA1 Chip