IPD50R650CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Osa numero
IPD50R650CEBTMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Tehonhäviö (maks.)
47W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
342pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 51157 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1 Elektroniset komponentit
IPD50R650CEBTMA1 Myynti
IPD50R650CEBTMA1 Toimittaja
IPD50R650CEBTMA1 Jakelija
IPD50R650CEBTMA1 Tietotaulukko
IPD50R650CEBTMA1 Kuvat
IPD50R650CEBTMA1 Hinta
IPD50R650CEBTMA1 Tarjous
IPD50R650CEBTMA1 Alin hinta
IPD50R650CEBTMA1 Hae
IPD50R650CEBTMA1 Ostaminen
IPD50R650CEBTMA1 Chip