IPD60R600E6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Osa numero
IPD60R600E6
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Tehonhäviö (maks.)
63W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
20.5nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 18114 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPD60R600E6
IPD60R600E6 Elektroniset komponentit
IPD60R600E6 Myynti
IPD60R600E6 Toimittaja
IPD60R600E6 Jakelija
IPD60R600E6 Tietotaulukko
IPD60R600E6 Kuvat
IPD60R600E6 Hinta
IPD60R600E6 Tarjous
IPD60R600E6 Alin hinta
IPD60R600E6 Hae
IPD60R600E6 Ostaminen
IPD60R600E6 Chip