IPD95R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO252
Osa numero
IPD95R750P7ATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™ P7
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Tehonhäviö (maks.)
73W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
950V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
712pF @ 400V
Vgs (max)
±20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 26269 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPD95R750P7ATMA1
IPD95R750P7ATMA1 Elektroniset komponentit
IPD95R750P7ATMA1 Myynti
IPD95R750P7ATMA1 Toimittaja
IPD95R750P7ATMA1 Jakelija
IPD95R750P7ATMA1 Tietotaulukko
IPD95R750P7ATMA1 Kuvat
IPD95R750P7ATMA1 Hinta
IPD95R750P7ATMA1 Tarjous
IPD95R750P7ATMA1 Alin hinta
IPD95R750P7ATMA1 Hae
IPD95R750P7ATMA1 Ostaminen
IPD95R750P7ATMA1 Chip