IPG20N10S4L22AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Osa numero
IPG20N10S4L22AATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerVDFN
Teho - Max
60W
Toimittajan laitepaketti
PG-TDSON-8-10
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
20A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1755pF @ 25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 38818 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPG20N10S4L22AATMA1
IPG20N10S4L22AATMA1 Elektroniset komponentit
IPG20N10S4L22AATMA1 Myynti
IPG20N10S4L22AATMA1 Toimittaja
IPG20N10S4L22AATMA1 Jakelija
IPG20N10S4L22AATMA1 Tietotaulukko
IPG20N10S4L22AATMA1 Kuvat
IPG20N10S4L22AATMA1 Hinta
IPG20N10S4L22AATMA1 Tarjous
IPG20N10S4L22AATMA1 Alin hinta
IPG20N10S4L22AATMA1 Hae
IPG20N10S4L22AATMA1 Ostaminen
IPG20N10S4L22AATMA1 Chip