IPI70P04P409AKSA1
MOSFET N-CH TO262-3
Osa numero
IPI70P04P409AKSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Toimittajan laitepaketti
PG-TO262-3-1
Tehonhäviö (maks.)
75W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
9.4 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 120µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4810pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 41597 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPI70P04P409AKSA1
IPI70P04P409AKSA1 Elektroniset komponentit
IPI70P04P409AKSA1 Myynti
IPI70P04P409AKSA1 Toimittaja
IPI70P04P409AKSA1 Jakelija
IPI70P04P409AKSA1 Tietotaulukko
IPI70P04P409AKSA1 Kuvat
IPI70P04P409AKSA1 Hinta
IPI70P04P409AKSA1 Tarjous
IPI70P04P409AKSA1 Alin hinta
IPI70P04P409AKSA1 Hae
IPI70P04P409AKSA1 Ostaminen
IPI70P04P409AKSA1 Chip