IPL60R105P7AUMA1
MOSFET N-CH 4VSON
Osa numero
IPL60R105P7AUMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™ P7
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
4-PowerTSFN
Toimittajan laitepaketti
PG-VSON-4
Tehonhäviö (maks.)
137W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 530µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1952pF @ 400V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 39066 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPL60R105P7AUMA1
IPL60R105P7AUMA1 Elektroniset komponentit
IPL60R105P7AUMA1 Myynti
IPL60R105P7AUMA1 Toimittaja
IPL60R105P7AUMA1 Jakelija
IPL60R105P7AUMA1 Tietotaulukko
IPL60R105P7AUMA1 Kuvat
IPL60R105P7AUMA1 Hinta
IPL60R105P7AUMA1 Tarjous
IPL60R105P7AUMA1 Alin hinta
IPL60R105P7AUMA1 Hae
IPL60R105P7AUMA1 Ostaminen
IPL60R105P7AUMA1 Chip