IPP60R520CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220
Osa numero
IPP60R520CPXKSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
PG-TO-220-3
Tehonhäviö (maks.)
66W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 340µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
630pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 17111 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPP60R520CPXKSA1
IPP60R520CPXKSA1 Elektroniset komponentit
IPP60R520CPXKSA1 Myynti
IPP60R520CPXKSA1 Toimittaja
IPP60R520CPXKSA1 Jakelija
IPP60R520CPXKSA1 Tietotaulukko
IPP60R520CPXKSA1 Kuvat
IPP60R520CPXKSA1 Hinta
IPP60R520CPXKSA1 Tarjous
IPP60R520CPXKSA1 Alin hinta
IPP60R520CPXKSA1 Hae
IPP60R520CPXKSA1 Ostaminen
IPP60R520CPXKSA1 Chip