IRF6215LPBF
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
Osa numero
IRF6215LPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Toimittajan laitepaketti
TO-262
Tehonhäviö (maks.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
150V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 20776 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRF6215LPBF
IRF6215LPBF Elektroniset komponentit
IRF6215LPBF Myynti
IRF6215LPBF Toimittaja
IRF6215LPBF Jakelija
IRF6215LPBF Tietotaulukko
IRF6215LPBF Kuvat
IRF6215LPBF Hinta
IRF6215LPBF Tarjous
IRF6215LPBF Alin hinta
IRF6215LPBF Hae
IRF6215LPBF Ostaminen
IRF6215LPBF Chip