IRF6810STR1PBF
MOSFET N CH 25V 16A S1
Osa numero
IRF6810STR1PBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
DirectFET™ Isometric S1
Toimittajan laitepaketti
DIRECTFET S1
Tehonhäviö (maks.)
2.1W (Ta), 20W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
16A (Ta), 50A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5.2 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1038pF @ 13V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 29269 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRF6810STR1PBF
IRF6810STR1PBF Elektroniset komponentit
IRF6810STR1PBF Myynti
IRF6810STR1PBF Toimittaja
IRF6810STR1PBF Jakelija
IRF6810STR1PBF Tietotaulukko
IRF6810STR1PBF Kuvat
IRF6810STR1PBF Hinta
IRF6810STR1PBF Tarjous
IRF6810STR1PBF Alin hinta
IRF6810STR1PBF Hae
IRF6810STR1PBF Ostaminen
IRF6810STR1PBF Chip