IRF6892STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 28A S3
Osa numero
IRF6892STR1PBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
DirectFET™ Isometric S3C
Toimittajan laitepaketti
DIRECTFET™ S3C
Tehonhäviö (maks.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 50µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2510pF @ 13V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 11329 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRF6892STR1PBF
IRF6892STR1PBF Elektroniset komponentit
IRF6892STR1PBF Myynti
IRF6892STR1PBF Toimittaja
IRF6892STR1PBF Jakelija
IRF6892STR1PBF Tietotaulukko
IRF6892STR1PBF Kuvat
IRF6892STR1PBF Hinta
IRF6892STR1PBF Tarjous
IRF6892STR1PBF Alin hinta
IRF6892STR1PBF Hae
IRF6892STR1PBF Ostaminen
IRF6892STR1PBF Chip