IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Osa numero
IRF7303PBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Not For New Designs
Pakkaus
Tube
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Teho - Max
2W
Toimittajan laitepaketti
8-SO
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
4.9A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 47921 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRF7303PBF
IRF7303PBF Elektroniset komponentit
IRF7303PBF Myynti
IRF7303PBF Toimittaja
IRF7303PBF Jakelija
IRF7303PBF Tietotaulukko
IRF7303PBF Kuvat
IRF7303PBF Hinta
IRF7303PBF Tarjous
IRF7303PBF Alin hinta
IRF7303PBF Hae
IRF7303PBF Ostaminen
IRF7303PBF Chip