IRF7313PBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Osa numero
IRF7313PBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Not For New Designs
Pakkaus
Tube
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Teho - Max
2W
Toimittajan laitepaketti
8-SO
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6.5A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 7035 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRF7313PBF
IRF7313PBF Elektroniset komponentit
IRF7313PBF Myynti
IRF7313PBF Toimittaja
IRF7313PBF Jakelija
IRF7313PBF Tietotaulukko
IRF7313PBF Kuvat
IRF7313PBF Hinta
IRF7313PBF Tarjous
IRF7313PBF Alin hinta
IRF7313PBF Hae
IRF7313PBF Ostaminen
IRF7313PBF Chip