IRF7404TRPBF
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
Osa numero
IRF7404TRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SO
Tehonhäviö (maks.)
2.5W (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 27457 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRF7404TRPBF
IRF7404TRPBF Elektroniset komponentit
IRF7404TRPBF Myynti
IRF7404TRPBF Toimittaja
IRF7404TRPBF Jakelija
IRF7404TRPBF Tietotaulukko
IRF7404TRPBF Kuvat
IRF7404TRPBF Hinta
IRF7404TRPBF Tarjous
IRF7404TRPBF Alin hinta
IRF7404TRPBF Hae
IRF7404TRPBF Ostaminen
IRF7404TRPBF Chip