IRF7701TRPBF
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Osa numero
IRF7701TRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-TSSOP
Tehonhäviö (maks.)
1.5W (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5050pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 27035 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRF7701TRPBF
IRF7701TRPBF Elektroniset komponentit
IRF7701TRPBF Myynti
IRF7701TRPBF Toimittaja
IRF7701TRPBF Jakelija
IRF7701TRPBF Tietotaulukko
IRF7701TRPBF Kuvat
IRF7701TRPBF Hinta
IRF7701TRPBF Tarjous
IRF7701TRPBF Alin hinta
IRF7701TRPBF Hae
IRF7701TRPBF Ostaminen
IRF7701TRPBF Chip