IRF8513TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Osa numero
IRF8513TRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Teho - Max
1.5W, 2.4W
Toimittajan laitepaketti
8-SO
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
8A, 11A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
766pF @ 15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 53448 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRF8513TRPBF
IRF8513TRPBF Elektroniset komponentit
IRF8513TRPBF Myynti
IRF8513TRPBF Toimittaja
IRF8513TRPBF Jakelija
IRF8513TRPBF Tietotaulukko
IRF8513TRPBF Kuvat
IRF8513TRPBF Hinta
IRF8513TRPBF Tarjous
IRF8513TRPBF Alin hinta
IRF8513TRPBF Hae
IRF8513TRPBF Ostaminen
IRF8513TRPBF Chip