IRFH7187TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A
Osa numero
IRFH7187TRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
FASTIRFET™, HEXFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Bulk
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerVDFN
Toimittajan laitepaketti
8-PQFN (5x6)
Tehonhäviö (maks.)
3.8W (Ta), 132W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
18A (Ta), 105A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 150µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2116pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 42037 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRFH7187TRPBF
IRFH7187TRPBF Elektroniset komponentit
IRFH7187TRPBF Myynti
IRFH7187TRPBF Toimittaja
IRFH7187TRPBF Jakelija
IRFH7187TRPBF Tietotaulukko
IRFH7187TRPBF Kuvat
IRFH7187TRPBF Hinta
IRFH7187TRPBF Tarjous
IRFH7187TRPBF Alin hinta
IRFH7187TRPBF Hae
IRFH7187TRPBF Ostaminen
IRFH7187TRPBF Chip