IRFH7188TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A
Osa numero
IRFH7188TRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
FASTIRFET™, HEXFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerTDFN
Toimittajan laitepaketti
PQFN (5x6)
Tehonhäviö (maks.)
3.8W (Ta), 132W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
18A (Ta), 105A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 150µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2116pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 15656 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRFH7188TRPBF
IRFH7188TRPBF Elektroniset komponentit
IRFH7188TRPBF Myynti
IRFH7188TRPBF Toimittaja
IRFH7188TRPBF Jakelija
IRFH7188TRPBF Tietotaulukko
IRFH7188TRPBF Kuvat
IRFH7188TRPBF Hinta
IRFH7188TRPBF Tarjous
IRFH7188TRPBF Alin hinta
IRFH7188TRPBF Hae
IRFH7188TRPBF Ostaminen
IRFH7188TRPBF Chip