IRFS7762PBF
MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK
Osa numero
IRFS7762PBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D²PAK (TO-263AB)
Tehonhäviö (maks.)
140W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
75V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 100µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4440pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 37340 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRFS7762PBF
IRFS7762PBF Elektroniset komponentit
IRFS7762PBF Myynti
IRFS7762PBF Toimittaja
IRFS7762PBF Jakelija
IRFS7762PBF Tietotaulukko
IRFS7762PBF Kuvat
IRFS7762PBF Hinta
IRFS7762PBF Tarjous
IRFS7762PBF Alin hinta
IRFS7762PBF Hae
IRFS7762PBF Ostaminen
IRFS7762PBF Chip