IRLH5036TRPBF
MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN
Osa numero
IRLH5036TRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerVDFN
Toimittajan laitepaketti
PQFN (5x6)
Tehonhäviö (maks.)
3.6W (Ta), 160W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
20A (Ta), 100A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5360pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 10002 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRLH5036TRPBF
IRLH5036TRPBF Elektroniset komponentit
IRLH5036TRPBF Myynti
IRLH5036TRPBF Toimittaja
IRLH5036TRPBF Jakelija
IRLH5036TRPBF Tietotaulukko
IRLH5036TRPBF Kuvat
IRLH5036TRPBF Hinta
IRLH5036TRPBF Tarjous
IRLH5036TRPBF Alin hinta
IRLH5036TRPBF Hae
IRLH5036TRPBF Ostaminen
IRLH5036TRPBF Chip