IRLHM620TRPBF
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Osa numero
IRLHM620TRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerTDFN
Toimittajan laitepaketti
PQFN (3x3)
Tehonhäviö (maks.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
26A (Ta), 40A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3620pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 5316 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRLHM620TRPBF
IRLHM620TRPBF Elektroniset komponentit
IRLHM620TRPBF Myynti
IRLHM620TRPBF Toimittaja
IRLHM620TRPBF Jakelija
IRLHM620TRPBF Tietotaulukko
IRLHM620TRPBF Kuvat
IRLHM620TRPBF Hinta
IRLHM620TRPBF Tarjous
IRLHM620TRPBF Alin hinta
IRLHM620TRPBF Hae
IRLHM620TRPBF Ostaminen
IRLHM620TRPBF Chip