IRLHM630TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Osa numero
IRLHM630TRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-VQFN Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
-
Tehonhäviö (maks.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3170pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 53576 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRLHM630TRPBF
IRLHM630TRPBF Elektroniset komponentit
IRLHM630TRPBF Myynti
IRLHM630TRPBF Toimittaja
IRLHM630TRPBF Jakelija
IRLHM630TRPBF Tietotaulukko
IRLHM630TRPBF Kuvat
IRLHM630TRPBF Hinta
IRLHM630TRPBF Tarjous
IRLHM630TRPBF Alin hinta
IRLHM630TRPBF Hae
IRLHM630TRPBF Ostaminen
IRLHM630TRPBF Chip