IRLHS6376TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Osa numero
IRLHS6376TR2PBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-VDFN Exposed Pad
Teho - Max
1.5W
Toimittajan laitepaketti
6-PQFN (2x2)
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3.6A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 51898 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRLHS6376TR2PBF
IRLHS6376TR2PBF Elektroniset komponentit
IRLHS6376TR2PBF Myynti
IRLHS6376TR2PBF Toimittaja
IRLHS6376TR2PBF Jakelija
IRLHS6376TR2PBF Tietotaulukko
IRLHS6376TR2PBF Kuvat
IRLHS6376TR2PBF Hinta
IRLHS6376TR2PBF Tarjous
IRLHS6376TR2PBF Alin hinta
IRLHS6376TR2PBF Hae
IRLHS6376TR2PBF Ostaminen
IRLHS6376TR2PBF Chip